光学関連半導体レーザ・UV
名城大と三重大、AlGaN系UV-B半導体レーザの高効率化要因を解明一電力・光変換効率5.5%を達成
名城大学と三重大学の研究グループは、AlGaN系紫外半導体レーザの効率を制限する主因が従来説の光閉じ込め不足ではなく内部光損失であることを実証し、電力・光変換効率5.5%という世界最高水準を達成した。
殺菌・医療・樹脂硬化に使われるUV-B固体光源が実用効率域に近づく成果であり、当社が扱う紫外光源および光パワー計測系の用途拡大につながる。
引用元：OPTRONICS ONLINE
