光学関連InPレーザ・光通信
Vertilite、中国・常州にInPレーザチップ拠点を新設一総投資50億人民元で高速光通信向け量産へ
化合物半導体光チップメーカーのVertiliteが江蘇省常州市に約50億人民元を投じてInP(リン化インジウム)レーザチップの研究開発・量産拠点を建設する。同社は2025年9月稼働のFabXでGaAs/InPの量産体制を整えており、ファーウェイ、シャオミ、BYD、DJIが出資者に名を連ねる。
InPは800G/1.6T光トランシーバのEML・DFBレーザに不可欠で、供給逼迫がAI光インターコネクトのボトルネックとなっている。中国勢の大規模なInP内製化は光源の価格・供給構造を数年スパンで変え、既存光源サプライヤの競争環境とレーザチップ評価用の光計測需要に直結する。
引用元：TrendForce
