光学関連光I/O・基板
Soitec、光I/0時代の基板要件を提示一SOIの300mm移行とLNOI基板で膜厚均一性を強化
SoitecのSteve Babureck執行副社長兼最高戦略責任者は、SOI基板の上部単結晶シリコン層自体が光導波路になると説明し、200mmと300mmの両フォーマットを供給しつつ今後3~5年で顧客の300mm移行が進むとの見通しを示した。NPO/CPOで光が演算シリコンへ近づくほど基板の均一性・膜厚制御の要求は厳しくなるとし、加えて高速変調向けにLNOI(ニオブ酸リチウム・オン・インシュレータ)基板を開発中とした。
CPOのボトルネックがトランシーバ設計から材料・基板の均一性へ移りつつあることを示す発言であり、ウエハ段階での光学特性検査の重要性が高まる。薄膜ニオブ酸リチウム変調器の立ち上がりは、当社が扱う高速変調器評価用の広帯域光源・偏波制御・分散測定機器の需要を直接押し上げる領域である。
引用元：Converge Digest
