光学関連半導体・深紫外
スタンレー電気子会社HexaTech、直径100mmの単結晶ALN基板を製品化一深紫外LED・深紫外レーザー向けに大口径化
スタンレー電気の米国子会社HexaTechは直径100mmの単結晶窒化アルミニウム (ALN) 基板を製品化した。2026年2月の3インチ品製品化からの大口径化で、深紫外LED、生物学的脅威検知用の深紫外レーザー、高電圧スイッチングデバイス、衛星通信向け高周波部品を想定用途とし、今後は150mm以上の開発を目指す。
ALN基板の大口径化は深紫外 (DUV) 光源の低コスト化・量産化を一段進め、殺菌・水処理、センシング、半導体計測といった短波長アプリケーションの裾野を広げる。DUV領域は光学薄膜・窓材・ファイバの選択肢が限られるため、UVグレードファイバ・光学部材・DUV対応検出器の引き合いが増える領域である。
引用元：OPTRONICS ONLINE
