光学関連半導体・HBM
Samsung、2027年にHBMがDRAM生産能力の約30%を占めると表明一ウエハ投入を年25万枚へ4割増
Samsung ElectronicsのKim Taewoo EVPは、HBMが業界DRAMウエハ能力の約30%(現状約20%)を占めるとの2027年見通しを示した。自社のウエハ投入は2026年の年約18万枚から2027年約25万枚へ約40%増、HBM4系の構成比は40%から80%に高まる。
HBM比率の急拡大はAIアクセラレータのメモリ帯域増を裏づけ、その先にある電気配線のボトルネック=CPO・光インターコネクト採用を前倒しする圧力となる。HBM積層・TSV工程ではレーザ加工と非破壊光検査の需要も増える。
引用元：TrendForce
