光学関連EUV露光装置, 半導体
高NA EUV露光装置の量産活用でIntel・Samsung・TSMCが戦略分化一導入時期に差
マイナビニュースは、高NA EUV露光装置の量産適用でIntel、Samsung、TSMCの戦略が分かれている状況を整理した。IntelがASMLと累計100万枚超のウェハ処理で先行する一方、Samsungは2028年までのDRAM量産導入、TSMCは2030年からの先端ノード適用を計画している。
高NA EUVは13.5mm極端紫外光源と超高精度反射光学系という光技術の極点であり、その量産時期は光学部品・計測の投資サイクルを規定する。光電融合チップの微細化ロードマップとも連動するため、シリコンフォトニクス量産の前提条件として追跡する価値がある。
引用元：マイナビニュース TECH+
