光学関連半導体・レーザー
Sivers Semiconductors、英グラスゴー工場に3000万ドルを投資-InP製DFBレーザーの年産能力を1億個超へ
Sivers Semiconductorsは9月3日、英グラスゴーのInPフォトニクス工場に3000万ドルを投資し、CW DFBレーザーの年産能力を1億個超に拡大すると発表した。AIデータセンター向け光インターコネクト需要の急拡大への対応が狙い。
InP製DFBレーザーはCPOや高速光トランシーバの光源として不可欠な部材であり、欧州での供給網増強は当社が扱う光通信部品・光源事業の川上動向として注視すべき材料である。
引用元：PR Newswire
