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光学関連フォトニクス・光インターコネクト

Semiconductor Engineering、7月21日付の技術論文ラウンドアップでフォトニクス・光インターコネクト研究を特集

Semiconductor Engineeringは7月21日付の技術論文ラウンドアップで、Cornell NYCU IBM等によるNbAsナノワイヤの微細化時の低抵抗率化や、KTH王立工科大学による複雑3D構造への薄膜コンフォーマル塗布のリソグラフィ技術など、微細配線と光集積の周辺研究をまとめた。同社は業界動向として、InPとSiPhがCMOSと並ぶ重要技術になり、レーザー・CPO・OCSが偏在すると総括している。

電気配線の物理限界を埋める研究と光化の同時進行は、CPO・光インターコネクトの採用時期を前倒しする方向に働く。当社が扱う光源・光部品・計測機器の評価需要にも直結する動きだ。

引用元:Semiconductor Engineering

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