光学関連露光装置, 半導体製造
キヤノン、KrF露光装置「FPA-6400ES6a」を発表一毎時400枚、12月上旬に投入
キヤノンは11月10日、KrF (248mm) 光源の半導体露光装置「FPA-6400ES6a」を発表し、12月上旬の投入を予定する。スループットは毎時400枚で、最大700µmの反りのあるウエハにも対応し、メモリ・ロジック製造を狙う。
先端パッケージや3D実装で顕在化するウエハ反りへの対応は、光学系・アライメント精度への要求を押し上げる。露光・検査工程での光計測・光源評価ニーズの拡大につながる。
引用元：DIGITIMES
