光学関連半導体, 化合物半導体
インフィニオン、300mm SiCウエハーで機能するパワーデバイスの製造に世界初成功-Villach工場の既存シリコン設備を活用
インフィニオン・テクノロジーズは11月9日、オーストリア・Villachの量産ファブで300mm炭化ケイ素 (SiC) ウエハーを機能するパワーデバイスまで加工することに量産環境下で世界初成功したと発表した。既存のシリコン製造設備を使用し、300mmは200mmの約2.3倍の面積を持つ。ドレスデン拠点ではウエハー分離技術「Cold Split」も実証した。
SiCの300mm化はAIデータセンター電源系とEV向けパワー半導体のコスト構造を変える動きで、化合物半導体の大口径化が加速している。大口径化はレーザーアニール・レーザーダイシング・ウエハー検査といった光プロセスと光計測装置の更新需要を生む。
