光学関連半導体検査・EUV
日立ハイテクと独ZEISS、High-NA EUV量産向け次世代マルチビーム電子線検査装置の共同開発を加速-91ビームで約10mm欠陥検出を狙う
日立ハイテクとドイツのZEISSは、High-NA EUV量産に対応する次世代マルチビーム電子線検査装置の共同開発を加速すると発表した。ZEISS SMTの91ビーム・マルチビームカラム技術と日立ハイテクの精密ステージ・AI画像処理を組み合わせ、約10mmスケールの欠陥検出で従来比数十倍以上の感度・速度を目指す。
2nmノードとHigh-NA EUVの量産立ち上げに伴い検査の一部が電子線式へ移る一方、光学式検査は歩留まり確保の前段として引き続き不可欠である。先端パッケージ・光電融合デバイスの歩留まりが半導体計測の進展に依存する構造が強まり、当社の半導体向け光計測提案の位置づけにも影響する。
引用元：OPTRONICS ONLINE
