光学関連レーザー加工・AIチップ
TRUMPF、AIチップ向けマイクロ冷却構造を超短パルスレーザで加工一従来エッチング比5倍以上の加工速度
TRUMPFはSemicon Taiwan 2026で、AIプロセッサの発熱対策としてチップに直接マイクロメートルスケールの冷却構造を形成する超短パルス (USP) レーザ加工を実演した。SiCやダイヤモンドにも対応し、従来のエッチング法に対して少なくとも5倍の加工速度を実現するとしている。
光電融合・CPOの前提となる積層実装では放熱が性能上限を決めるため、USPレーザがAIチップ製造の新たな必須工程として組み込まれる動きである。高出力・高繰り返しの超短パルス光源とビーム整形・加工モニタリング用光計測の需要拡大につながる。
引用元：GoPhotonics
