光学関連リソグラフィ・半導体
imec、High-NA EUVで単一露光パターニングを実証-22nmピッチ・28nmビアを達成
imecはHigh-NA EUVリソグラフィで単一露光によるパターニングを実証し、22nmピッチの配線と28nmのビア形成に成功したと発表した。ダマシン配線を含む複数の工程で成果を示した。
微細化の進展はCPOやシリコンフォトニクス用PICの集積度と電気IOの帯域を押し上げ、光インターコネクト需要を直接拡大させる。光計測・検査装置の精度要求も一段高まる。
引用元：オプトロニクスオンライン
