光学関連EUV, 半導体露光
理研・宇都宮大、レーザー2本でEUV光源の変換効率を4割向上一次世代半導体露光へ道
ニュースイッチ(日刊工業新聞)は2026年9月7日、理化学研究所と宇都宮大学の研究チームがホルミウム添加YAG固体レーザー2本を用いてスズプラズマからEUV光を生成し、変換効率をレーザー1本の2.6%から3.6%へ約4割向上させたと報じた。光源サイズは露光装置の要件を満たす60~70マイクロメートルに収まるという。
高出力単ーレーザーに依存しない半導体露光光源の設計が可能になる意義は大きく、レーザー技術の半導体製造装置への応用拡大を示す事例といえる。セブンシックスが取り扱うレーザー・光源関連事業の将来展開にも参考になる技術動向である。
引用元：ニュースイッチ
