半導体光アンプ

波長: SOA 780~1290nm BOA 1060~1310nm

メーカ:Innolume GmbH

✓ 27dB の高ゲイン
✓ 970-1080nm 増幅幅
✓ 直線偏波
✓ RoHS対応

特長

半導体光増幅器 (SOA:Semiconductor optical amplifiers) は増幅媒体として半導体を用いた光増幅器です。
SOA はファブリ・ペロー半導体レーザと似通った構造をしていますが、半導体チップの片面にARコーティング (Anti-Reflection coating) が施されています。
最近の SOA の設計ではARコーティングに加えて導波路が斜めになっているため、射出側における端面反射が 0.001% 以下に抑えられています。これにより、共振器内での光損失が増幅率よりも大きくなり、この半導体がレーザとして動作するのを妨げます。

用途

  • ファイバレーザのプリアンプ
  • SS-OCT用 波長掃引光源

SOAは出力と帯域の間に大きな依存関係があります。利得バンド幅が広くなればなるほど、利得は小さくなります。
用途に合った最適な製品をお選びください。

仕様詳細

■ SOA

製品型番
用途製品概要ゲイン波長(nm)ゲイン幅 (3dB)nmスモール信号利得(dB)飽和出力(dBm)雑音指数(dB)順電動(mA)順電圧(V)偏光消光比(dB)
SOA0780016YY30DBXXXXspectroscopy, tunable laser sourceSemiconductor optical amplifier at 780nm in BTF package7801631126.53001.915
SOA1000100YY30DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1000nm in BTF package100010032176.56001.718
SOA1020110YY30DBXXXXOCT, tunable laser sourceSemiconductor optical amplifier at 1020nm in BTF package1020110301585501.618
SOA1035020YY40DBXXXXspectroscopy, gas sensing, tunable laser sourceSemiconductor optical amplifier at 1035nm in BTF package103520371684501.618
SOA1060022YY40DBXXXXOCT, spectroscopy, tunable laser sourceSemiconductor optical amplifier at 1060nm in BTF package106022391884501.618
SOA1060090YY30DBXXXXOCT, spectroscopy, LIDAR, tunable laser source, sensing,  researchSemiconductor optical amplifier at 1060nm in BTF package106090321864501.717
SOA1080025YY35DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1080nm in BTF package108025351574001.518
SOA1090025YY40DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1090nm in BTF package109025391674001.516
SOA1125025YY35DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1125nm in BTF package1125253516106001.618
SOA1140090YY22DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1140nm in BTF package114090221554001.418
SOA1190090YY20DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1190nm in BTF package119090201273001.418
SOA1250110YY27DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1250nm in BTF package1250110271589001.618
SOA1290045YY25DBXXXXtunable laser source, researchSemiconductor optical amplifier at 1290nm in BTF package12904525127.54001.418

■ BOA (CHIP-ON-CARRIER)

製品型番
用途製品概要ゲイン波長(nm)ゲイン幅 (3dB)nm出力(mW)飽和利得(dB)スモール信号利得(dB)飽和出力(dBm)雑音指数(dB)順電流(mA)Slow軸ビーム発散角(deg)Fast軸ビーム発散角(deg)偏光消光比(dB)
BOA1290065CC550MXXXXLIDAR, DatacomBooster optical amplifier at 1290nm on submount1290655501843225200082818
BOA1300060CC450MXXXXLIDAR, DatacomBooster optical amplifier at 1300nm on submount1300604501731225200062718

■ BOA (FIBER-COUPLED)

製品型番
用途製品概要ゲイン波長(nm)ゲイン幅 (3dB)nm出力(mW)飽和利得(dB)スモール信号利得(dB)飽和出力(dBm)雑音指数(dB)順電流(mA)偏光消光比(dB)
BOA1060080YY120MXXXXOCTBooster optical amplifier at 1060nm in BTF package1060801201015196.540018
BOA1290065YY400MXXXXLIDAR, DatacomBooster optical amplifier at 1290nm in BTF package1290654001641216200016
BOA1300060YY350MXXXXLIDAR, DatacomBooster optical amplifier at 1300nm in BTF package1300603501628226.5200016
BOA1310070YY300MXXXXLIDAR, DatacomBooster optical amplifier at 1310nm in BTF package1310703001638206200018

半導体光増幅器 (SOA:Semiconductor optical amplifiers) は増幅媒体として半導体を用いた光増幅器です。
SOA はファブリ・ペロー半導体レーザと似通った構造をしていますが、半導体チップの片面にARコーティング (Anti-Reflection coating) が施されています。
最近の SOA の設計ではARコーティングに加えて導波路が斜めになっているため、射出側における端面反射が 0.001% 以下に抑えられています。
これにより、共振器内での光損失が増幅率よりも大きくなり、この半導体がレーザとして動作するのを妨げます。

光断層計測 (OCT:Optical coherence tomography) は低コヒーレンス干渉計で構成された断層イメージング装置です。
OCT は眼科検査をはじめとした多くの分野で採用されています。OCT の重要な性能のいくつかは光源によって決まります。Innolume の SOA-1020-110-YY-27dB は、近年 盛んに研究、開発、応用されている SS-OCT の光源に用いる 波長掃引光源 を構成する増幅媒体にお使いいただけます。
SOA-1020-110-YY-27dB 以外にも、1000 nm帯の異なるバンド幅、出力のSOAや、775 – 1285 nm の範囲で様々な SOA の用意がございます。複数の SOA を組み合わせていただくことで、より広帯域な OCT 用光源を設計することもできます。
各 SOA の入出力ファイバ >

  • 780-HP
  • HI1060
  • SMF-28
  • PM780
  • PM980
  • PM1300

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