特長
半導体光増幅器 (SOA:Semiconductor optical amplifiers) は増幅媒体として半導体を用いた光増幅器です。
SOA はファブリ・ペロー半導体レーザと似通った構造をしていますが、半導体チップの片面にARコーティング (Anti-Reflection coating) が施されています。
最近の SOA の設計ではARコーティングに加えて導波路が斜めになっているため、射出側における端面反射が 0.001% 以下に抑えられています。これにより、共振器内での光損失が増幅率よりも大きくなり、この半導体がレーザとして動作するのを妨げます。
用途
- ファイバレーザのプリアンプ
- SS-OCT用 波長掃引光源
SOAは出力と帯域の間に大きな依存関係があります。利得バンド幅が広くなればなるほど、利得は小さくなります。
用途に合った最適な製品をお選びください。
仕様詳細
■ SOA
製品型番 | 用途 | 製品概要 | ゲイン波長(nm) | ゲイン幅 (3dB)nm | スモール信号利得(dB) | 飽和出力(dBm) | 雑音指数(dB) | 順電動(mA) | 順電圧(V) | 偏光消光比(dB) |
SOA0780016YY30DBXXXX | spectroscopy, tunable laser source | Semiconductor optical amplifier at 780nm in BTF package | 780 | 16 | 31 | 12 | 6.5 | 300 | 1.9 | 15 |
SOA1000100YY30DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1000nm in BTF package | 1000 | 100 | 32 | 17 | 6.5 | 600 | 1.7 | 18 |
SOA1020110YY30DBXXXX | OCT, tunable laser source | Semiconductor optical amplifier at 1020nm in BTF package | 1020 | 110 | 30 | 15 | 8 | 550 | 1.6 | 18 |
SOA1035020YY40DBXXXX | spectroscopy, gas sensing, tunable laser source | Semiconductor optical amplifier at 1035nm in BTF package | 1035 | 20 | 37 | 16 | 8 | 450 | 1.6 | 18 |
SOA1060022YY40DBXXXX | OCT, spectroscopy, tunable laser source | Semiconductor optical amplifier at 1060nm in BTF package | 1060 | 22 | 39 | 18 | 8 | 450 | 1.6 | 18 |
SOA1060090YY30DBXXXX | OCT, spectroscopy, LIDAR, tunable laser source, sensing, research | Semiconductor optical amplifier at 1060nm in BTF package | 1060 | 90 | 32 | 18 | 6 | 450 | 1.7 | 17 |
SOA1080025YY35DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1080nm in BTF package | 1080 | 25 | 35 | 15 | 7 | 400 | 1.5 | 18 |
SOA1090025YY40DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1090nm in BTF package | 1090 | 25 | 39 | 16 | 7 | 400 | 1.5 | 16 |
SOA1125025YY35DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1125nm in BTF package | 1125 | 25 | 35 | 16 | 10 | 600 | 1.6 | 18 |
SOA1140090YY22DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1140nm in BTF package | 1140 | 90 | 22 | 15 | 5 | 400 | 1.4 | 18 |
SOA1190090YY20DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1190nm in BTF package | 1190 | 90 | 20 | 12 | 7 | 300 | 1.4 | 18 |
SOA1250110YY27DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1250nm in BTF package | 1250 | 110 | 27 | 15 | 8 | 900 | 1.6 | 18 |
SOA1290045YY25DBXXXX | tunable laser source, research | Semiconductor optical amplifier at 1290nm in BTF package | 1290 | 45 | 25 | 12 | 7.5 | 400 | 1.4 | 18 |
■ BOA (CHIP-ON-CARRIER)
製品型番 | 用途 | 製品概要 | ゲイン波長(nm) | ゲイン幅 (3dB)nm | 出力(mW) | 飽和利得(dB) | スモール信号利得(dB) | 飽和出力(dBm) | 雑音指数(dB) | 順電流(mA) | Slow軸ビーム発散角(deg) | Fast軸ビーム発散角(deg) | 偏光消光比(dB) |
BOA1290065CC550MXXXX | LIDAR, Datacom | Booster optical amplifier at 1290nm on submount | 1290 | 65 | 550 | 18 | 43 | 22 | 5 | 2000 | 8 | 28 | 18 |
BOA1300060CC450MXXXX | LIDAR, Datacom | Booster optical amplifier at 1300nm on submount | 1300 | 60 | 450 | 17 | 31 | 22 | 5 | 2000 | 6 | 27 | 18 |
■ BOA (FIBER-COUPLED)
製品型番 | 用途 | 製品概要 | ゲイン波長(nm) | ゲイン幅 (3dB)nm | 出力(mW) | 飽和利得(dB) | スモール信号利得(dB) | 飽和出力(dBm) | 雑音指数(dB) | 順電流(mA) | 偏光消光比(dB) |
BOA1060080YY120MXXXX | OCT | Booster optical amplifier at 1060nm in BTF package | 1060 | 80 | 120 | 10 | 15 | 19 | 6.5 | 400 | 18 |
BOA1290065YY400MXXXX | LIDAR, Datacom | Booster optical amplifier at 1290nm in BTF package | 1290 | 65 | 400 | 16 | 41 | 21 | 6 | 2000 | 16 |
BOA1300060YY350MXXXX | LIDAR, Datacom | Booster optical amplifier at 1300nm in BTF package | 1300 | 60 | 350 | 16 | 28 | 22 | 6.5 | 2000 | 16 |
BOA1310070YY300MXXXX | LIDAR, Datacom | Booster optical amplifier at 1310nm in BTF package | 1310 | 70 | 300 | 16 | 38 | 20 | 6 | 2000 | 18 |
半導体光増幅器 (SOA:Semiconductor optical amplifiers) は増幅媒体として半導体を用いた光増幅器です。
SOA はファブリ・ペロー半導体レーザと似通った構造をしていますが、半導体チップの片面にARコーティング (Anti-Reflection coating) が施されています。
最近の SOA の設計ではARコーティングに加えて導波路が斜めになっているため、射出側における端面反射が 0.001% 以下に抑えられています。
これにより、共振器内での光損失が増幅率よりも大きくなり、この半導体がレーザとして動作するのを妨げます。
光断層計測 (OCT:Optical coherence tomography) は低コヒーレンス干渉計で構成された断層イメージング装置です。
OCT は眼科検査をはじめとした多くの分野で採用されています。OCT の重要な性能のいくつかは光源によって決まります。Innolume の SOA-1020-110-YY-27dB は、近年 盛んに研究、開発、応用されている SS-OCT の光源に用いる 波長掃引光源 を構成する増幅媒体にお使いいただけます。
SOA-1020-110-YY-27dB 以外にも、1000 nm帯の異なるバンド幅、出力のSOAや、775 – 1285 nm の範囲で様々な SOA の用意がございます。複数の SOA を組み合わせていただくことで、より広帯域な OCT 用光源を設計することもできます。
各 SOA の入出力ファイバ >
- 780-HP
- HI1060
- SMF-28
- PM780
- PM980
- PM1300