特長
- シングルチップInAs/GaAs量子ドットベースダイオードレーザー
- 標準的な通信波長です: Oバンド
- 最低8つの低RINファブリーペローモード
- 等距離の温度不感帯チャネル間隔
- 光アイソレータ内蔵
- 偏波保持ファイバ
用途
- DWDM通信用マルチチャンネルソース
- 光インターコネクトの開発・評価
仕様詳細
パラメータ | 最小値 | 中央値 | 最大値 | 単位 |
出力パワー (Pout) | 25 | 30 | mW | |
中心波長 *1 (λc) | 1300 | 1310 | 1320 | nm |
チャンネル出力 | 2 | mW | ||
チャンネル数(<3dB差) | 8 | 12 | ||
チャンネル間隔 *2 | 78 | 80 | 82 | GHz |
個別FPモード(チャンネル) RIN(0.1-8GHzレンジでの平均値) | -125 | dB/Hz | ||
レーザーダイオード 電力変換効率 (Pout/ Iop / Vf ) (WPE) | 9 | % | ||
LD 閾値電流 (Ith) | 20 | 30 | mA | |
LD 動作電流 (Iop) | 160 | 180 | mA | |
順方向電圧 (Vf) | 2.1 | 2.3 | V | |
バイアス電圧 *3 (Va) | 4 | V | ||
偏光消光比 (PER) | 15 | 18 | dB |
*1—1150 to 1330nm 対応可能
*2—25-100GHz mode-spacing 対応可能
*3—0V Bias Voltage 対応可能