ゲインモジュールは 曲がり導波路を持つ “Type C” のゲインチップを用いて構成されています。

曲がり導波路の端面は傾斜しています。この傾斜構造と ARコート (Anti-Refrection Coating)により、ゲインチップの導波路への戻り光が大幅に抑制されます。
戻り光が抑制されることにより、自己レーザ発振を防止し、外部共振システムと一緒に動作させる際に生じる問題を取り除くことができます。
これらの特長を持つゲインモジュールにより、チューニングレンジ全域で高いサイドモード抑圧比 ( SMSR : Side-Mode Supression Ratio)を持つ狭線幅レーザが構築可能です。
導波路と垂直な端面は、広帯域な波長チューニングレンジと高出力性を同時に実現できるよう、適切な反射率
( 典型的には 5 – 15 % )を持っています。標準品のゲインモジュールにおけるこの端面反射は、ゲインチップへの効率的なフィードバック ( 約 50% ) を示す外部共振器との使用に最適化されています。フィードバック効率がより小さい場合、ゲインチップの端面にはまた別の適切な反射率を持つコーティングが必要になるため、カスタマイズしたゲインモジュールの使用を推奨しています。

■ ゲインモジュールのピグテールファイバは、下記の中からお選びいただけます。
PM
PM780
PM980
PM1300
non PM
780-HP
HI1060
SMF-28