広帯域ゲインモジュール

波長: 1030 ~ 1140nm 出力: 130 ~ 280mW

メーカ:Innolume GmbH

✓ 1030, 1060, 1140nmを中心とした波長可変 (最大150nm可変) 光源
✓ 狭線幅チューナブルレーザ用途
✓ TECと高性能サーミスタ内臓による高い温度安定性

特長

Innolume の ゲインモジュール( Gain-Module ) は ゲインチップ (Gain-Chip) によく似た小型光学デバイスですが、
ゲインモジュールの方端では光が シングルモードファイバ (SMF) に結合されています。
このゲインモジュールの構成は光ファイバ出力のチューナブルレーザ構築に非常に便利な構成です。
Innolume の製造設備でのファイバ結合により、光ファイバ結合効率が最適化されており、長期間の安定性と非常に信頼性に優れた製品となっております。

Innolume のゲインモジュールを用いれば、典型的なベアのゲインチップを使用時に必要な光学部品点数を大幅に省略できるためシステムの信頼性を向上しながらもコスト削減が達成されます。
さらには、ゲインモジュールは 内蔵の TEC と高性能サーミスタにより高い温度安定性を示します。

用途

  • 狭線幅チューナブルレーザ用

ゲインモジュールは 曲がり導波路を持つ “Type C” のゲインチップを用いて構成されています。

曲がり導波路の端面は傾斜しています。この傾斜構造と ARコート (Anti-Refrection Coating)により、ゲインチップの導波路への戻り光が大幅に抑制されます。
戻り光が抑制されることにより、自己レーザ発振を防止し、外部共振システムと一緒に動作させる際に生じる問題を取り除くことができます。
これらの特長を持つゲインモジュールにより、チューニングレンジ全域で高いサイドモード抑圧比 ( SMSR : Side-Mode Supression Ratio)を持つ狭線幅レーザが構築可能です。
導波路と垂直な端面は、広帯域な波長チューニングレンジと高出力性を同時に実現できるよう、適切な反射率
( 典型的には 5 – 15 % )を持っています。標準品のゲインモジュールにおけるこの端面反射は、ゲインチップへの効率的なフィードバック ( 約 50% ) を示す外部共振器との使用に最適化されています。フィードバック効率がより小さい場合、ゲインチップの端面にはまた別の適切な反射率を持つコーティングが必要になるため、カスタマイズしたゲインモジュールの使用を推奨しています。

■ ゲインモジュールのピグテールファイバは、下記の中からお選びいただけます。
PM
PM780
PM980
PM1300
non PM
780-HP
HI1060
SMF-28

仕様詳細

型番チューニングレンジ中心波長
[nm]
チューニングレンジ
[nm]
最大出力の波長
[nm]
ファイバーからの出力
[mW]
ファスト軸ビーム発散
[deg]
スロー軸ビーム発散
[deg]
RMS[dB]ストライプ長
[mm]
動作電流
[mA]
GM-1030-150-YY-150103015010601503670.31.4400
GM-1030-130-YY-200103013010502001970.22.8400
GM-1060-150-YY-25010601501100280166.50.13600
GM-1140-120-YY-130114012011701303960.053600


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