特長

• 高い逆バイアス電圧の印加が可能なAPDモジュールの取り扱い
• 高速トランスインピーダンスアンプ
• 温度制御付きバイアス電源
• プログラム可能な増倍率設定

用途

• 光通信
• 距離計
• 光計測
• 微弱光検知
• APD評価

仕様詳細

■　KP-A Siアバランシェフォトダイオード

形名	受光サイズ (Typ.[µm])	検出波長 (MIN[nm] / MAX[nm])	遮断周波数 Typ.[GHz] / 条件	受光感度 Typ.[A/W] / 条件	パッケージ
KPM100	φ1000	400 / 1000	0.1 / M=10～100	0.45 / M=1 λ=850nm	モジュール
KPDA100P-H8	φ1000	400 / 1000	M=100 / RL=50Ω λ=850nm	0.45 / M=1 λ=850nm	TO-18
KPDA050P-H8	φ500	400 / 1000	M=100 / RL=50Ω λ=850nm	0.45 / M=1 λ=850nm	TO-18
KPDA020P-H8	φ200	400 / 1000	M=100 / RL=50Ω λ=850nm	0.45 / M=1 λ=850nm	TO-18

■　InGaAsアバランシェフォトダイオード

形名	受光サイズ (Typ.[µm])	検出波長 (MIN[nm] / MAX[nm])	遮断周波数 Typ.[GHz] / 条件	受光感度 Typ.[A/W] / 条件	パッケージ
KPDEA13C	φ13	900 / 1700	15 / with　TIA	0.5 / VR＝13V　λ=1310nm	CHIP
KPDEA007-56F	φ75	900 / 1700	2 / M=10	0.90 / M=1 　λ=1310nm 1.05 / M=1 　λ=1550nm	TO-CAN
KPDEA005-56F	φ55	900 / 1700	3 / M=10	0.95 / M=1 　λ=1310nm 1.05 / M=1 　λ=1550nm	TO-CAN