Oバンド帯 半導体光アンプ

波長: 1270 ~ 1350nm ゲイン: 5 ~ 30dB

メーカ:Aeon Corporation

QLight O-Amp モデルは、通信、光ファイバセンサ、医療イメージング、検査・測定用途に設計された半導体光増幅器(SOA)です。Discrete photonics と フォトニック集積回路(PICs) の製造には、Aeon社が保有する QLight Technology プラットフォームを採用しています。

特長

  • 14ピンMSAパッケージ
  • 広い光帯域幅
  • Cバンド(1550nm)をカバー
  • 最大160Gb/sのレートをサポート
  • 低偏波依存性
  • 高出力

用途

  • 送信ブースター
  • レシーバー・プリアンプ
  • インラインアンプ
  • 損失補償
  • 掃引音源用ゲインミディアム

仕様詳細

パラメータ 最小値中央値最大値単位備考
動作波長(λ) 12701350nm
ピークゲイン (Gpk) 530dBO-Ampモードにより異なる
ピークゲインWL (λ pk) 1310nm
BW ゲインフラットネス (GFBW) 3.0dB
ゲインリップル (GR) 0.2dB
雑音指数 (NF) 7.0dB最大ゲイン極大、入力電力-20dBm
偏波依存利得 (PDG) 1.0dB
飽和出力電力 (P 1dB) 10dBm1.0dBのゲインコンプレッション
飽和出力電力 (P 3dB) 13dBm3.0dBのゲインコンプレッション
順電圧 (Vf) 2V
動作バイアス電流 (Iop) 120420mAO-Ampモードにより異なる
サーミスタ抵抗 (R therm) 10At 25℃
総消費電力 (P) 4WTcase=70℃、デザインによる

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