GaAsフォトダイオード

検出波長: 650 ~ 880 nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトダイオードは、光を照射したときにその光の強さを電流に変換する受光素子です。半導体素子を構成する材料によって検出する波長の幅や感度が異なります。材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。

特長

  • 大受光径
  • 低暗電流
  • 低容量
  • 高速応答
  • 高信頼性
  • ファイバー付きパッケージ対応可(オプション)

用途

  • 光配線
  • デジタル/アナログ光VSR通信
  • 光LAN
  • OE変換器

仕様詳細

形名受光サイズ
[mm]
検出波長
Min.[nm] / Max[nm]
帯域幅
Typ. / 条件
受光感度
Typ.[A/W] / 条件
パッケージ
KPDG020Cφ0.2650 / 8801.0GHz /
RL=50Ω VR=2V
0.6 /
λ=850nm VR=2V
CHIP
KPDG008-H8φ0.08650 / 8804.0GHz /
Pi=-10dBm
VR=5V Small signal modulation
0.55 /
λ=850nm VR=5V
TO-CAN

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