特長

高い累積放射線量への対応

用途

過酷な環境下での宇宙グレードのファイバーレーザーと増幅器の構築

仕様詳細

Er添加 シングルクラッドファイバ

型番	モードフィールド径 ＠1550 nm	クラッド径	コア吸収 @ 980 nm	コア吸収 @ 1530 nm	カットオフ波長	融着ロス (to SMF28)	RIGV *1
IXF-RAD-AMP-1	5.5 ± 1 um	125 ± 2 um	8 ± 1 dB/m	14 ± 2 dB/m	< 1150 nm	< 0.20 dB	< 0.07 dB/kRad
IXF-RAD-AMP-2	5.5 ± 1 um	125 ± 2 um	17 ± 2 dB/m	25 ± 3 dB/m	< 1150 nm	< 0.20 dB	< 0.03 dB/kRad
IXF-RAD-AMP-3	9.5 ± 1.5 um	125 ± 2 um	13.5 ± 1.5 dB/m	16 ± 2 dB/m	< 1150 nm	< 0.20 dB	< 0.005 dB/kRad

*1: RIGV (Radiation Induced Gain Variation)
試験条件：　976nm 100mW 励起, -20dBm シグナル光入力 @ 1545 nm

Er / Yb添加 ダブルクラッドファイバ

型番	コア径	クラッド径	コアのNA	クラッドのNA	コア吸収 @ 1536 nm	クラッド吸収 @ 915 nm	クラッド吸収 @ 976 nm	RIGV *2
IXF-2CF-EY-O-6-130-LNF-RAD	6 ± 0.5 um	125 ± 3 um	0.19 ± 0.02	≥0.46	> 30 dB/m	> 0.6 dB/m	> 2.0 dB/m	< 0.02 dB/kRad
IXF-2CF-EY-O-12-130-RAD	12 ± 1 um	125 ± 3 um	0.19 ± 0.02	≥0.46	60 ±10 dB/m	2.9 ± 0.6 dB/m	11.6 ± 2.4 dB/m	< 0.02 dB/kRad

*1: RIGV (Radiation Induced Gain Variation)
試験条件：　915nm 4W 励起, 1W シグナル光出力 @ 1545 nm, 18dB ゲイン

試験条件
波長：1545nm　ゲイン：~18dB
出力：~1W　　励起パワー：~4W@915nm