DFB レーザーチップオンサブマウント型

波長: 1529 nm~1570 nm

メーカ:3SP Technologies

✓ 1550 nm DFB レーザー用チップ
✓ C-Band (1529nm - 1570nm) 対応
✓ BRS構造は、有機金属気相成長法(MOVPE)採用

特長

  • 出力電力:20mW、40mW、60mW
  • C -Band(1529nm – 1570nm)、波長間隔:50GHz
  • 低いビーム発散
  • Telcordia GR-468-CORE認定 済

用途

  • CWオペレーション&HF帯(2.5GHzまで)
  • テレコムTDMおよびDWDM
  • 計測機器

仕様詳細

■ 電気光学特性
すべてのパラメータは、サブマウント温度を25℃で指定されています。

パラメータ テスト環境 最小値 最大値 単位
ドライブ電流閾値(Ith)X軸との交点
P_Iリニアフィット曲線の
0.2mWから0.8mWの間
30mA
外部効率(Eta)0.22mW/mA
定格光出力(P200)200 mA20mW
最大光出力パワー(Pmax)63mW
キンク無し電流(If w/o kink)300mA
シリアル抵抗値(Rs)V_Iのリニアフィット曲線
2mWと15mWの間
2.5Ohm
発光ピーク波長(Lda P)Pf=40 mW(*)(*)nm
サイドモード抑圧比(SMSR)Pf=40 mW35dB
パラレルビーム発散(Par B D)If=200mA25°
垂直方向のビーム発散(Per B D)If=200mA25°

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