電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード

検出波長: 900 ~ 3500 nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトダイオードは、光を照射したときにその光の強さを電流に変換する受光素子です。半導体素子を構成する材料によって検出する波長の幅や感度が異なります。材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。

特長

  • 大受光面積: 860µm sq.
  • 低暗電流
  • 高シャント抵抗
  • 電子冷却(TEC), サーミスタ搭載
  • 小型パッケージ (TO-46)

用途

  • 近赤外センサ
  • 近赤外分光分析
  • パワーメータ

仕様詳細

形名受光サイズ
(mm)
検出波長
Min.(nm) / Max.(nm)
受光感度
Typ.(A/W)
パッケージ
KPDE086S-H85P0.86×0.86900 / 17000.9 / λ=1310nm
1.0 / λ=1550nm
TO-46
KPDE086S-H54P0.86×0.86900 / 17000.9 / λ=1310nm
1.0 / λ=1550nm
TO-39
KPDS100-H54PSφ1900 / 35001.2 / λ=λp 動作温度 25℃
1.4 / λ=λp 動作温度 -20℃
TO-39

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