シリコン高速応答フォトダイオード

検出波長: 400 ~ 1000nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトダイオードは、光を照射したときにその光の強さを電流に変換する受光素子です。半導体素子を構成する材料によって検出する波長の幅や感度が異なります。材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。

特長

  • 受光径200µmで2GHzの高速応答性
  • 受光径500µmで0.4GHzを実現
  • 低暗電流
  • 低電圧駆動
  • 多様なパッケージに対応

用途

  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ

仕様詳細

形名受光サイズ
(mm)
検出波長
Min.[nm] / Max.[nm]
受光感度
Typ.[A/W] / 条件
パッケージ
KPID050M-H8φ0.5400 / 10000.35 / λ=850nm VR=0VTO-CAN
KPID020D-H8Φ0.2400 / 10000.35 / λ=850nm VR=0VTO-CAN

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