シリコンフォトトランジスタ

検出波長: 400 ~ 1000nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトトランジスタは、フォトダイオードとトランジスタが一体化した構造になっています。フォトダイオードで発生した光電流をトランジスタで増幅してから電流を出力する受光素子です。

特長

  • NPN型フォトトランジスタ
  • 透明エポキシモールド / セラミックパッケージ / 気密パッケージ
  • 低暗電流
  • 可視光カットタイプ

用途

  • 光スイッチ
  • 光学式エンコーダ
  • 光アイソレータ
  • カメラストロボ
  • 赤外センサ
  • 自動制御機器

仕様詳細

形名受光サイズ
(Typ.[㎟])
検出波長
Min.[nm] / Max.[nm]
光電流
Typ.[mA] / 条件
電流増幅率
Typ. / 条件
半値角(Typ.)パッケージ
KPT081M310.64×0.64400 / 10007 /
VCE=5V  
100lx(@2856K)
600 / VCE=5V  IC=2mA60MOLD
KPT801C20.64×0.64400 / 1100 4 /
VCE=5V  
100lx(@2856K)
400 / VCE=5V  IC=2mA120STEM
KPT811H0.64×0.64400 / 10002 /
VCE=5V  
100lx(@2856K)
600 / VCE=5V  IC=2mA17TO-CAN
KPT801HB20.64×0.64700 / 11002 /
VCE=5V 
100lx(@2856K)
400 / VCE=5V  IC=2mA17TO-CAN

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