シリコンフォトダイオード

検出波長: 400 ~ 1100nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトダイオードは、光を照射したときにその光の強さを電流に変換する受光素子です。半導体素子を構成する材料によって検出する波長の幅や感度が異なります。材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。

特長

  • 複数チャンネルPDに最適な高密度パッケージ
  • キャップ絶縁型2ピンミニキャン(φ1.96mm)
  • 省スペース(キャップ寸法 φ1.96mm x 3.35mm)
  • 低暗電流 (Typ. 15pA @VR=10V)
  • 広い検出波長(400-1000nm)       他

用途

  • デジタル/アナログ極短距離(VSR)光通信
  • 光LAN
  • OE変換器
  • 高速光計測
  • 光センサ

仕様詳細

形名受光サイズ(Typ.[mm])検出波長
Min.[nm] / Max.[nm]
帯域幅
Typ. / 条件
短絡電流
Typ.[µA] / 条件
受光感度
Typ.[A/W] / 条件
パッケージ
KPID150HCφ1.5400 / 10000.2GHz /
RL=50Ω  VR=2V
– / –0.58 /λ=850nm  VR=10VCHIP
KPID020DS-Sφ0.2400 / 10002.0GHz /
RL=50Ω  VR=2V
– / –0.3 /λ=850nm  VR=10VTO-CAN
KPID050M-H8φ0.5400 / 1000– / –– / –0.35 /λ=850nm VR=0VTO-CAN
KPID020D-H8Φ0.2400 / 1000– / –– / –0.35 /λ=850nm VR=0VTO-CAN
KPD301M4X2.59×2.59400 / 1100– / –78 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD151M531.25×1.25400 / 1100– / –16 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD104M510.81×0.81400 / 1100– / –55 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD101M510.81×0.81400 / 1100– / –19 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD104M320.81×0.81400 / 1100– / –10 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD101M320.81×0.81400 / 1100– / –16 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD101M310.81×0.81400 / 1100– / –30 / 1000lx @2856k– /-MOLD
KPD31S2.80×0.80400 / 1100– / –22 / 1000lx @2856k– /-SMD
KPD30S2.59×2.59400 / 1100– / –68 / 1000lx @2856k– /-SMD
KPD3065C2.59×2.59400 / 1100– / –70 / 1000lx @2856k– /-STEM
KPD1803K1.30×1.60400 / 1100– / –24 / 1000lx @2856k– /-STEM
KPD1803H1.30×1.60400 / 1100– / –17 / 1000lx @2856k– /-TO-CAN
KPD1801H1.30×1.60400 / 1100– / –70 / 1000lx @2856k– /-TO-CAN
KPID1301C1.10×1.10400 / 1100– / –12 / 1000lx @2856k– /-STEM
KPID1301H1.10×1.10400 / 1100– / –60 / 1000lx @2856k– /-TO-CAN
KPD1201C0.92×0.92400 / 1100– / –12 / 1000lx @2856k– /-STEM
KPD1203K0.92×0.92400 / 1100– / –11 / 1000lx @2856k– /-STEM
KPD1203H0.92×0.92400 / 1100– / –8 / 1000lx @2856k– /-TO-CAN
KPD1201H0.92×0.92400 / 1100– / –60 / 1000lx @2856k– /-TO-CAN

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