シリコンフォトダイオードアレイ

検出波長: 400 ~ 1100 nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

フォトダイオードは、光を照射したときにその光の強さを電流に変換する受光素子です。半導体素子を構成する材料によって検出する波長の幅や感度が異なります。材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。

特長

  • 2分割フォトダイオード
  • 透明エポキシモールド
  • 小型表面実装型

用途

  • センサー
  • 制御機器
  • 光スイッチ
  • 光学式エンコーダ

仕様詳細

形名受光サイズ
[mm]
検出波長
Min.[nm] / Max.[nm]
短絡電流
Typ.[µA] / 条件
受光感度
Typ.[A/W] / 条件
パッケージ
KPD32121.5×1.0400 / 110013 / 1000lx @2856kSMD
KDA16S0.74×2.0400 / 1100 0.54 / λ=850nmSMD

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