シリコンアバランシェフォトダイオード

検出波長: 400 ~ 1000 nm

メーカ:株式会社京都セミコンダクター

アバランシェフォトダイオードは逆バイアス電圧を印加することで光電子の増倍を行う半導体素子です。増倍を行うことでフォトダイオードより大きな光電流を得ることができます。微弱な光の検出などに適しています。

特長

  • 高い逆バイアス電圧の印加が可能なAPDモジュールの取り扱い
  • 高速トランスインピーダンスアンプ
  • 温度制御付きバイアス電源
  • プログラム可能な増倍率設定


用途

  • 光通信
  • 距離計
  • 光計測
  • 微弱光検知
  • APD評価

仕様詳細

 KP-A Siアバランシェフォトダイオード


形名
受光サイズ
(Typ.[µm])
検出波長
(MIN[nm] /
MAX[nm])
遮断周波数
Typ.[GHz] / 条件
受光感度
Typ.[A/W] / 条件

パッケージ
KPM100φ1000400 / 10000.1 / M=10~1000.45 / M=1 λ=850nmモジュール
KPDA100P-H8φ1000400 / 1000M=100 / RL=50Ω
λ=850nm
0.45 / M=1 λ=850nmTO-18
KPDA050P-H8φ500400 / 1000M=100 / RL=50Ω
λ=850nm
0.45 / M=1 λ=850nm TO-18
KPDA020P-H8φ200400 / 1000M=100 / RL=50Ω
λ=850nm
0.45 / M=1 λ=850nm TO-18

■ InGaAsアバランシェフォトダイオード

形名受光サイズ
(Typ.[µm])
検出波長
(MIN[nm] /
MAX[nm])
遮断周波数
Typ.[GHz] / 条件
受光感度
Typ.[A/W] / 条件
パッケージ
KPDEA13Cφ13900 / 170015 / with TIA0.5 / VR=13V λ=1310nmCHIP
KPDEA007-56Fφ75900 / 17002 / M=100.90 / M=1  λ=1310nm
1.05 / M=1  λ=1550nm
TO-CAN
KPDEA005-56Fφ55900 / 17003 / M=100.95 / M=1  λ=1310nm
1.05 / M=1  λ=1550nm
TO-CAN

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