特長

• InGaAs材料
• 平面的なZn拡散構造
• 直径70μmの受光部
• 前面入射型フォトダイオード
• 高い応答性 (0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)

用途

• 2.5 Gb/s レシーバモジュール
• テレコム
• 計測機器
• データコム
• FTTH
• 防衛
• 医療
• 産業用途

仕様詳細

■ 電気光学特性
*下記のパラメータは、アルミナサブマウント 及び Tサブマウント 温度を25℃で指定されています。

パラメータ	テスト環境	最小値	中央値	最大値	単位
暗電流(25℃)（Idark）	-5V, 25°C	-	-	1	nA
暗電流（Idark）	-5V, from -55°C to 95°C	-	-	300	nA
ブレイクダウン電圧（Vb）	1μA	25	–	-	V
順電圧（Vf）	1mA	0.5	-	2	V
応答性（5）	l =1.55mm -5V and 1μ	0.85	-	-	A/W
静電容量（C）	0V- 1MHz -5V- 1MHz	-	-	2.02.5	ｐF
カットオフ周波数（Fc）	At –3dB and -5V	2	-		GHz

3SP TechnologiesはIII-V属半導体のエピタキシャル成長、製造、デバイス設計、検査、信頼性試験、不良解析を提供しております。

■ エピタキシャル工程
• 特注エピタキシャルウェハ
• 材料特性ウェハ工程

■ ウェハプロセス
• 顧客のフローチャートと当社の基準の整合性確保（製造設備と工程）
• 信頼性構築Probe testingプローブ検査
• 光学特性の抽出および選定（ウェハ状態もしくはチップ）
• ダイシングもしくはチップテスト