特長
- InGaAs材料
- 平面的なZn拡散構造
- 直径70μmの受光部
- 前面入射型フォトダイオード
- 高い応答性 (0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)
用途
- 2.5 Gb/s レシーバモジュール
- テレコム
- 計測機器
- データコム
- FTTH
- 防衛
- 医療
- 産業用途
仕様詳細
■ 電気光学特性
*下記のパラメータは、アルミナサブマウント 及び Tサブマウント 温度を25℃で指定されています。
パラメータ | テスト環境 | 最小値 | 中央値 | 最大値 | 単位 |
暗電流(25℃)(Idark) | -5V, 25°C | - | - | 1 | nA |
暗電流(Idark) | -5V, from -55°C to 95°C | - | - | 300 | nA |
ブレイクダウン電圧(Vb) | 1μA | 25 | – | - | V |
順電圧(Vf) | 1mA | 0.5 | - | 2 | V |
応答性(5) | l =1.55mm -5V and 1μ | 0.85 | - | - | A/W |
静電容量(C) | 0V- 1MHz -5V- 1MHz | - | - | 2.02.5 | pF |
カットオフ周波数(Fc) | At –3dB and -5V | 2 | - | GHz |
3SP TechnologiesはIII-V属半導体のエピタキシャル成長、製造、デバイス設計、検査、信頼性試験、不良解析を提供しております。
■ エピタキシャル工程
• 特注エピタキシャルウェハ
• 材料特性ウェハ工程
■ ウェハプロセス
• 顧客のフローチャートと当社の基準の整合性確保(製造設備と工程)
• 信頼性構築Probe testingプローブ検査
• 光学特性の抽出および選定(ウェハ状態もしくはチップ)
• ダイシングもしくはチップテスト