2.5Gbps ピンフォトダイオード チップ / チップオンサブマウント型

波長: 1300~1600 nm

メーカ:3SP Technologies

InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。
1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、サブマウントに容易に実装することができます。

特長

  • InGaAs材料
  • 平面的なZn拡散構造
  • 直径70μmの受光部
  • 前面入射型フォトダイオード
  • 高い応答性 (0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)

用途

  • 2.5 Gb/s レシーバモジュール
  • テレコム
  • 計測機器
  • データコム
  • FTTH
  • 防衛
  • 医療
  • 産業用途

仕様詳細

電気光学特性
*下記のパラメータは、アルミナサブマウント 及び Tサブマウント 温度を25℃で指定されています。

パラメータ テスト環境 最小値中央値最大値単位
暗電流(25℃)(Idark)-5V, 25°C - -1nA
暗電流(Idark)-5V, from -55°C to 95°C - - 300nA
ブレイクダウン電圧(Vb)1μA25 -V
順電圧(Vf)1mA0.5 -2V
応答性(5)l =1.55mm
-5V and 1μ
0.85 - -A/W
静電容量(C)0V- 1MHz
-5V- 1MHz
 - -2.02.5pF
カットオフ周波数(Fc)At –3dB and -5V2 -GHz

3SP TechnologiesはIII-V属半導体のエピタキシャル成長、製造、デバイス設計、検査、信頼性試験、不良解析を提供しております。

エピタキシャル工程
• 特注エピタキシャルウェハ
• 材料特性ウェハ工程

ウェハプロセス
• 顧客のフローチャートと当社の基準の整合性確保(製造設備と工程)
• 信頼性構築Probe testingプローブ検査
• 光学特性の抽出および選定(ウェハ状態もしくはチップ)
• ダイシングもしくはチップテスト

製品に関するお問い合わせ

    送信する前に個人情報保護方針をご確認ください。