特長

• 導波路集積型フォトダイオードを搭載、振幅及び位相の両方において極めてフラットな周波数応答特性を実現
• 3 dB カットオフ周波数 typ 100 GHz
• 動作周波数帯域 1260 ～ 1360 nm
• 平坦な周波数数応答特性
• 平均光入力 max 10 dBm、高い直線性（リニアリティ）
• 評価ボードサポート

オンチップで統合されたバイアス回路と最適化されたRF設計により、DCから3 dBカットオフ周波数まで
乱れのない周波数応答を実現するとともに、外付けバイアスティーのコストを削減できます。

本モジュールは非気密構造で、RF性能を最優先に設計されており、パルス応答においてほぼリンギングが発生しません。
各フォトディテクタモジュールは、ヘテロダイン法を用いて周波数領域で特性評価されています。

用途

• 超高速光ファイバ通信
• マイクロ波フォトニクス
• 測定器

仕様詳細

動作条件

Parameter	Symbol	Condition	Min.	Typ.	Max.	Unit
Wavelength Range			1260		1360	nm
Average Optical Input Power	POPT_avg	f ≤ 100 GHz, DC current < 10 mA			10	dBm
Photodiode Supply Voltage	VPD		0		3.0	V

電気‐光学特性

Parameter	Symbol	Condition	Min.	Typ.	Max.	Unit
Photodiode DC Responsivity²)	R	VPD = 2 V, TCASE = 25 °C	0.3	0.4		A/W
Polarization-Dependent Loss	PDL				0.55	dB
Photodiode Dark Current	IDARK			5	200	nA
Optical Return Loss	ORL			-25		dB
3 dB Cut-off Frequency³)	f3dB		96	100	110	GHz
Output Reflection Coefficient³)	S22				-2	dB

Notes:
1. λ = 1310 nm, V_PD = 2 V, T_CASE = 25 °C, P_{OPT_avg} = -3 dBm
2. Optimum polarization
3. Measured using Lightwave Component Analyzer

標準特性