Innolume では、高出力半導体レーザのラインナップもご用意しています。波長、出力、マウントタイプ別に用途に合った製品をお選びいただけます。

1 um帯の広帯域（半値幅100nm）SLD光源、他社にない高出力・低リップル SLD光源シリーズ。波長と用途に合わせたピグテールファイバを選択可能。スペクトラムドメインを用いた干渉測定のアプリケーションなどに最適です。

1030, 1060, 1140nmを中心とした波長可変(最大150nm可変）光源です。

1220, 1260, 1270, 1300, 1310, 1310nmを中心とした波長可変(最大140nm可変）光源向けのゲインチップです。

1030, 1060, 11105, 1110, 1160, 1180nmを中心とした波長可変(最大 160nm可変）光源向けのゲインチップです。

780, 800, 920, 950nm を中心とした波長可変(最大 110nm可変）光源向けのゲインチップです。

1チップにて8本の信号光を80GHz間隔で出力することができるレーザです。次世代のAOCやプラガブルな送受信機の送信信号源として使用されることが期待されているレーザです。

バタフライパッケージの高出力レーザです。MOPA型のファイバーレーザのシード用光源などとして最適です。

1050-1090,1113-1124,1150-1170,1175-1280,1300-1320nm 帯付近のTO-CANにパッケージされたハイパワーレーザです。