650 – 1060 nm, 帯域 < 80 nm RWE 広帯域ゲインチップ
650, 670, 690, 740, 790, 810, 840, 860, 920, 980, 1060nm を中心とした波長可変(9 – 80nm可変）光源向けのゲインチップです。パッケージは TO-can です。
- パートナー：
- eagleyard Photonics GmbH
- 製品型：EYP-RWE-####
- 製品型番：EYP-RWE-0650-00502-2000-SOT02-0000,EYP-RWE-0670-00702-1000-SOT02-0000,EYP-RWE-0690-00703-1000-SOT02-0000,EYP-RWE-0740-02000-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0790-04000-0750-SOT01-0000,EYP-RWE-0810-03010-1300-SOT02-0000,EYP-RWE-0840-06010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0860-06010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0920-04010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0980-08020-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000
- 納期目安：1ヶ月
カテゴリ：
担当者
五反田
製品情報
| 中心波長（nm） | 650 ～ 1060 |
|---|---|
| チューニングレンジ(nm) | 4 ～ 80 |
| パッケージ | 9 mm TO can |
製品情報
- SOT封止パッケージ
- 外部共振半導体レーザに最適
- モニタPD
アプリケーション
ARコート済み ファブリ・ペローレーザ
ゲインチップは、ファブリ・ペロー半導体レーザの出力端面（へき開面）に優れたARコーティングを施して製造されます。ゲインチップの外部に、リットマン(Littman)もしくはリトロー(Littrow)配置の外部共振器を構築することでレーザ発振します（外部共振器型半導体レーザとなります）。これらの外部フィードバックを制御することにより、波長可変の単一周波数動作レーザを得ることができます。
パッケージは Long 9 mm TO can と Short 9 mm TO can の 2タイプでご用意しています。
| 中心波長 | チューニング幅 | 外部共振出力 （典型値） |
チップ長 | データシート |
|---|---|---|---|---|
| 660 nm | 648 – 657 nm | 30 | 2 mm | |
| 670 nm | 660 – 675 nm | 15 | 1 mm | |
| 690 nm | 685 – 689 nm | 15 | 1 mm | |
| 740 nm | 729 – 740 nm | 20 | 1.5 mm | |
| 790 nm | 750 – 790 nm | 50 | 1.5 mm | |
| 810 nm | 780 – 810 nm | 80 | 1.3 mm | |
| 860 nm | 800 – 870 nm | 80 | 1.5 mm | |
| 920 nm | 890 – 930 nm | 15 | 1.5 mm | |
| 980 nm | 900 – 980 nm | 50 | 1.5 mm | |
| 1060 nm | 960 – 1070 nm | 50 | 0.6 mm |
特性例
下の2つの図はそれぞれ650 nm 帯ゲインチップ と 1060 nm 帯ゲインチップを用いて構築した外部共振器型レーザの特性例です。
