PARTNER

パートナー

Innolume GmbH

Innolumeはドイツのドルトムントに在る光半導体デバイスの製造メーカです。その独自のユニークな技術として量子ドット技術を活かした光源の開発・製造を行っております。自社にてエピタキシャル生成装置、スパッタリング装置をはじめとした真空装置を設備しており、前工程に於いては全ての工程をドルトムントにある設備にて行う事が可能です。後工程に関してはパイロットラインは設けておりますが、量産展開の際に外部の製造会社に製造を委託することとなります。

量子井戸(Quantum well)により製造している短い波長側の製品と量子ドット(Quantum dot)により製造している長い波長側の製品の2種類の製造方法を確立しております。量子ドット(Quantum dot)レーザの特徴として1チップで櫛形波形レーザ(Comb laser)の製造が可能です。また各Chのスペーシングを任意に決めることが出来る光源です。これらの製品はシリコンフォトニクスによるAOCの基幹部品としての応用が期待されております。

O-bandラマン増幅器のポンプ用光源として300mW以上の出力が得られるレーザを開発しております。またDFB+SOAによりハイパワーなSingle Frequency Laserの開発を進めております。

CATALOG

カタログ

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STAFF COMMENT

担当スタッフコメント

営業部マネージャー

五反田 浩

Hiroshi Gotanda

Innolume は 2003年設立で、ここ数年 CAGR > 40% で継続的に成長しています。

Innolume の長所は、標準品から柔軟にカスタマイズできる点です。
最高の性能と高い信頼性を維持しつつも、迅速に
ユーザが望む製品を高い完成度で提供します。

PARTNER'S PRODUCT

取扱製品

800 – 1300 nm, 高出力半導体レーザ : 量子ドットレーザ ( 空間 / ファイバ出力 )

Innolume では、高出力半導体レーザのラインナップもご用意しています。波長、出力、マウントタイプ別に用途に合った製品をお選びいただけます。

1030 – 1313 nm DBR / DFB 単一周波数レーザ

1000 nm - 1300 nm 帯の DFB レーザと 高出力DBR レーザです。ガスセンシング用光源、ファイバレーザのシード光源、光学測定器の組[...]

1000 – 1280nm ファイバ出力 SLD : 広帯域 / 高出力モデル

1 um帯の広帯域(半値幅100nm)SLD光源、他社にない高出力・低リップル SLD光源シリーズ。波長と用途に合わせたピグテールファイバを選択可能。[...]

1030 – 1140 nm, 狭線幅チューナブルレーザ用 広帯域ゲインモジュール

1030, 1060, 1140nmを中心とした波長可変(最大150nm可変)光源です。

1220 – 1330nm ゲインチップ(チューニング幅最大 160nm)

1220, 1260, 1270, 1300, 1310, 1310nmを中心とした波長可変(最大140nm可変)光源向けのゲインチップです。

1030 – 1180nm 160nm ゲインチップ(チューニング幅最大 160nm)

1030, 1060, 11105, 1110, 1160, 1180nmを中心とした波長可変(最大 160nm可変)光源向けのゲインチップです。

780 – 950nm ゲインチップ(チューニング幅最大 110nm)

780, 800, 920, 950nm を中心とした波長可変(最大 110nm可変)光源向けのゲインチップです。

80GHz間隔 次世代 光コムレーザ チップ

1チップにて8本の信号光を80GHz間隔で出力することができるレーザです。次世代のAOCやプラガブルな送受信機の送信信号源として使用されることが期待さ[...]

780 – 1340 nm, SM 半導体レーザ : TO-Can / 14ピンパッケージ

バタフライパッケージの高出力レーザです。MOPA型のファイバーレーザのシード用光源などとして最適です。

1060 – 1310nm, 100 – 300mW フリースペース SM半導体レーザ

1050-1090,1113-1124,1150-1170,1175-1280,1300-1320nm 帯付近のTO-CANにパッケージされたハイパワ[...]

780 – 1290 nm SOA : 用途 1um 帯 OCT など

SS-OCT用 波長掃引光源に最適な広帯域OSA。ファイバレーザのプリアンプとしての実績も多数。