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Products 製品情報

650 – 1060 nm, 帯域 < 80 nm RWE 広帯域ゲインチップ

650, 670, 690, 740, 790, 810, 840, 860, 920, 980, 1060nm を中心とした波長可変(9 – 80nm可変)光源向けのゲインチップです。パッケージは TO-can です。

パートナー:
eagleyard Photonics GmbH
製品型:
EYP-RWE-####
製品型番:
EYP-RWE-0650-00502-2000-SOT02-0000,EYP-RWE-0670-00702-1000-SOT02-0000,EYP-RWE-0690-00703-1000-SOT02-0000,EYP-RWE-0740-02000-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0790-04000-0750-SOT01-0000,EYP-RWE-0810-03010-1300-SOT02-0000,EYP-RWE-0840-06010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0860-06010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0920-04010-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-0980-08020-1500-SOT02-0000,EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000
納期目安:
1ヶ月
カテゴリー:
光アンプ » 半導体光アンプ

製品情報

中心波長(nm) 650 ~ 1060
チューニングレンジ(nm) 4 ~ 80
パッケージ 9 mm TO can

特長

  • SOT封止パッケージ
  • 外部共振半導体レーザに最適
  • モニタPD

 

ARコート済み ファブリ・ペローレーザ

eagleyard_tocan

ゲインチップは、ファブリ・ペロー半導体レーザの出力端面(へき開面)に優れたARコーティングを施して製造されます。ゲインチップの外部に、リットマン(Littman)もしくはリトロー(Littrow)配置の外部共振器を構築することでレーザ発振します(外部共振器型半導体レーザとなります)。これらの外部フィードバックを制御することにより、波長可変の単一周波数動作レーザを得ることができます。

パッケージは Long 9 mm TO can と Short 9 mm TO can の 2タイプでご用意しています。

中心波長 チューニング幅 外部共振出力
(典型値)
チップ長 データシート
660 nm 648 – 657 nm  30 2 mm PDF
670 nm 660 – 675 nm  15 1 mm PDF
690 nm 685 – 689 nm  15 1 mm PDF
740 nm 729 – 740 nm  20 1.5 mm PDF
790 nm 750 – 790 nm  50 1.5 mm PDF
810 nm 780 – 810 nm  80 1.3 mm PDF
860 nm 800 – 870 nm  80 1.5 mm PDF
920 nm 890 – 930 nm  15 1.5 mm PDF
980 nm 900 – 980 nm  50 1.5 mm PDF
1060 nm 960 – 1070 nm  50 0.6 mm PDF

特性例

下の2つの図はそれぞれ650 nm 帯ゲインチップ と 1060 nm 帯ゲインチップを用いて構築した外部共振器型レーザの特性例です。

650nm